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1. 成膜用霧化装置及びこれを用いた成膜装置

   出願日

   2021年2月4日

   登録番号

   6994694

   技術分野

   霧化または噴霧一般；流動性材料の表面への適用一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

2. 半導体膜及び半導体膜の製造方法

   出願日

   2021年2月4日

   登録番号

   7357301

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

3. 成膜用霧化装置及びこれを用いた成膜装置

   出願日

   2021年2月4日

   登録番号

   6994694

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

4. 成膜用霧化装置およびこれを用いた成膜装置

   出願日

   2021年2月4日

   登録番号

   6975417

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

5. 成膜用霧化装置およびこれを用いた成膜装置

   出願日

   2021年2月4日

   登録番号

   6975417

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

6. 半導体膜及び半導体膜の製造方法

   出願日

   2021年2月4日

   登録番号

   7357301

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

7. 半導体膜及び半導体膜の製造方法

   出願日

   2021年2月4日

   登録番号

   7357301

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

8. 成膜用霧化装置およびこれを用いた成膜装置

   出願日

   2021年2月4日

   登録番号

   6975417

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

9. 半導体膜及び半導体膜の製造方法

   出願日

   2021年2月4日

   登録番号

   7357301

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

10. 半導体膜及び半導体膜の製造方法

    出願日

    2021年2月4日

    登録番号

    7357301

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

11. 成膜用霧化装置およびこれを用いた成膜装置

    出願日

    2021年2月4日

    登録番号

    6975417

    技術分野

    霧化または噴霧一般；流動性材料の表面への適用一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

12. 成膜用霧化装置及びこれを用いた成膜装置

    出願日

    2021年2月4日

    登録番号

    6994694

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

13. 半導体膜及び半導体膜の製造方法

    出願日

    2021年2月4日

    登録番号

    7357301

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

14. 成膜用霧化装置及びこれを用いた成膜装置

    出願日

    2021年2月4日

    登録番号

    6994694

    技術分野

    霧化または噴霧一般；流動性材料の表面への適用一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

15. 半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7407426

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

16. 半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7407426

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

17. 半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7407426

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

18. 成膜用ドーピング原料溶液の製造方法、積層体の製造方法、成膜用ドーピング原料溶液及び半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7011207

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

19. 成膜用ドーピング原料溶液の製造方法、積層体の製造方法、成膜用ドーピング原料溶液及び半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7011207

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

20. 半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7407426

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

21. 成膜用ドーピング原料溶液の製造方法、積層体の製造方法、成膜用ドーピング原料溶液及び半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7011207

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

22. 成膜用ドーピング原料溶液の製造方法、積層体の製造方法、成膜用ドーピング原料溶液及び半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7011207

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

23. 成膜用ドーピング原料溶液の製造方法、積層体の製造方法、成膜用ドーピング原料溶液及び半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7011207

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

24. 成膜用ドーピング原料溶液の製造方法、積層体の製造方法、成膜用ドーピング原料溶液及び半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7011207

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

25. 半導体膜

    出願日

    2021年1月27日

    登録番号

    7407426

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

26. 構造物の劣化予測装置、構造物の劣化予測方法および構造物の劣化予測プログラム

    出願日

    2020年12月4日

    登録番号

    6985686

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

27. 水酸化ニッケル薄膜の製造方法

    出願日

    2020年1月6日

    登録番号

    7486732

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

28. 水酸化ニッケル薄膜の製造方法

    出願日

    2020年1月6日

    登録番号

    7486732

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

29. 水酸化ニッケル薄膜の製造方法

    出願日

    2020年1月6日

    登録番号

    7486732

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

30. 水酸化ニッケル薄膜の製造方法

    出願日

    2020年1月6日

    登録番号

    7486732

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）