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シーズテクノ株式会社

特許 全14件

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全14件 （1〜14件目を表示）

  1. 酸化グラフェンの還元方法

    出願日
    2022年3月24日
    登録番号
    7478455
    技術分野
    無機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. グラフェン膜の製造方法

    出願日
    2020年9月19日
    登録番号
    7429971
    技術分野
    無機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 基板上のグラフェン膜の直接成膜法及び走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7042492
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 基板上のグラフェン膜の直接成膜法及び走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7042492
    技術分野
    無機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 基板上のグラフェン膜の直接成膜法及び走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7042492
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 基板上のグラフェン膜の直接成膜法及び走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7042492
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 基板上のグラフェン膜の直接成膜法及び走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7042492
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 基板上のグラフェン膜の直接成膜法及び走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7042492
    技術分野
    無機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 基板上のグラフェン膜の直接成膜法及び走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7042492
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 六方晶系窒化ホウ素膜の製造方法

    出願日
    2017年8月24日
    登録番号
    6944699
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 六方晶系窒化ホウ素膜の製造方法

    出願日
    2017年8月24日
    登録番号
    6944699
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 六方晶系窒化ホウ素膜の製造方法

    出願日
    2017年8月24日
    登録番号
    6944699
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 六方晶系窒化ホウ素膜の製造方法

    出願日
    2017年8月24日
    登録番号
    6944699
    技術分野
    他に分類されない電気技術
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 六方晶系窒化ホウ素膜の製造方法

    出願日
    2017年8月24日
    登録番号
    6944699
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）