全147件 （1〜30件目を表示）

1. シリコンウェーハ、及び、シリコンウェーハの製造方法

   出願日

   2020年6月24日

   登録番号

   7090295

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

2. シリコンウェーハ、及び、シリコンウェーハの製造方法

   出願日

   2020年6月24日

   登録番号

   7090295

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

3. シリコンウェーハ、及び、シリコンウェーハの製造方法

   出願日

   2020年6月24日

   登録番号

   7090295

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

4. シリコンウェーハ、及び、シリコンウェーハの製造方法

   出願日

   2020年6月24日

   登録番号

   7090295

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

5. 原料シリコンの充填方法

   出願日

   2020年5月28日

   登録番号

   7412276

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

6. 原料シリコンの充填方法

   出願日

   2020年5月28日

   登録番号

   7412276

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

7. シリコン原料の洗浄装置

   出願日

   2020年3月12日

   登録番号

   7458833

   技術分野

   無機化学

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

8. シリコン原料の洗浄装置

   出願日

   2020年3月12日

   登録番号

   7458833

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

9. シリコン原料の洗浄装置

   出願日

   2020年3月12日

   登録番号

   7458833

   技術分野

   無機化学

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

10. シリコン単結晶の製造方法

    出願日

    2020年1月10日

    登録番号

    7429122

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

11. エピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

    出願日

    2020年1月10日

    登録番号

    7437165

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

12. エピタキシャルシリコンウェーハにおける欠陥の発生予測方法およびエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法

    出願日

    2020年1月10日

    登録番号

    7437165

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

13. シリコン単結晶の製造方法

    出願日

    2020年1月10日

    登録番号

    7429122

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

14. シリコンウェーハの研磨方法

    出願日

    2019年12月27日

    登録番号

    7349352

    技術分野

    研削；研磨

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

15. シリコンウェーハの研磨方法

    出願日

    2019年12月27日

    登録番号

    7349352

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

16. シリコンウェーハの研磨方法

    出願日

    2019年12月27日

    登録番号

    7349352

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

17. シリコンウェーハの研磨方法

    出願日

    2019年12月27日

    登録番号

    7349352

    技術分野

    研削；研磨

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

18. シリコンウェーハの熱処理方法

    出願日

    2019年12月5日

    登録番号

    7252884

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

19. シリコンウェーハの熱処理方法

    出願日

    2019年12月5日

    登録番号

    7252884

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

20. シリコンウェーハ及びその熱処理方法

    出願日

    2019年12月5日

    登録番号

    7282019

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

21. シリコンウェーハ及びその熱処理方法

    出願日

    2019年12月5日

    登録番号

    7282019

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

22. シリコンウェーハの熱処理方法

    出願日

    2019年12月5日

    登録番号

    7252884

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

23. 単結晶引上方法及び単結晶引上装置

    出願日

    2019年11月6日

    登録番号

    7285197

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

24. 単結晶引上方法及び単結晶引上装置

    出願日

    2019年11月6日

    登録番号

    7285197

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

25. シリコン単結晶の製造方法

    出願日

    2019年8月28日

    登録番号

    7249913

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

26. シリコン単結晶の製造方法

    出願日

    2019年8月28日

    登録番号

    7249913

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

27. 貼り合わせウェーハ及びそれを用いた積層ウェーハの製造方法

    出願日

    2019年7月31日

    登録番号

    7339056

    技術分野

    研削；研磨

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

28. 貼り合わせウェーハ及びそれを用いた積層ウェーハの製造方法

    出願日

    2019年7月31日

    登録番号

    7339056

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

29. 貼り合わせウェーハ及びそれを用いた積層ウェーハの製造方法

    出願日

    2019年7月31日

    登録番号

    7339056

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

30. 貼り合わせウェーハ及びそれを用いた積層ウェーハの製造方法

    出願日

    2019年7月31日

    登録番号

    7339056

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）