← 株式会社高純度化学研究所の企業情報へ戻る

株式会社高純度化学研究所

特許 全59件

プルミアムが取得した明細を新しい日付順に掲載しています。30件ずつ表示し、最終ページまで確認できます。

全59件 (1〜30件目を表示)

  1. 蒸発原料用容器及び固体気化供給システム

    出願日
    2022年7月5日
    登録番号
    7257079
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  2. 蒸発原料用容器及び固体気化供給システム

    出願日
    2022年7月5日
    登録番号
    7257079
    技術分野
    金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  3. VO2焼結体の製造方法およびVO2焼結体スパッタリングターゲット

    出願日
    2019年10月30日
    登録番号
    7106138
    技術分野
    セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  4. VO2焼結体の製造方法およびVO2焼結体スパッタリングターゲット

    出願日
    2019年10月30日
    登録番号
    7106138
    技術分野
    染料;ペイント;つや出し剤;天然樹脂;接着剤;他に分類されない組成物;他に分類されない材料の応用
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  5. VO2焼結体の製造方法およびVO2焼結体スパッタリングターゲット

    出願日
    2019年10月30日
    登録番号
    7106138
    技術分野
    金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  6. MgO-TiO系スパッタリングターゲットの製造方法

    出願日
    2019年3月15日
    登録番号
    7178707
    技術分野
    金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  7. MgO-TiO系スパッタリングターゲットの製造方法

    出願日
    2019年3月15日
    登録番号
    7178707
    技術分野
    セメント;コンクリート;人造石;セラミックス;耐火物
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  8. 二酸化バナジウム薄膜の製造方法

    出願日
    2019年3月7日
    登録番号
    7301340
    技術分野
    無機化学
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  9. 二酸化バナジウム薄膜の製造方法

    出願日
    2019年3月7日
    登録番号
    7301340
    技術分野
    無機化学
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  10. 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム

    出願日
    2019年2月7日
    登録番号
    6887688
    技術分野
    電気分解または電気泳動方法;そのための装置
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  11. 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム

    出願日
    2019年2月7日
    登録番号
    6887688
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  12. 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム

    出願日
    2019年2月7日
    登録番号
    6887688
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  13. 蒸発原料用容器、及びその蒸発原料用容器を用いた固体気化供給システム

    出願日
    2019年2月7日
    登録番号
    6887688
    技術分野
    金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  14. 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。

    出願日
    2019年2月7日
    登録番号
    6901153
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  15. 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。

    出願日
    2019年2月7日
    登録番号
    6901153
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  16. 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。

    出願日
    2019年2月7日
    登録番号
    6901153
    技術分野
    金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  17. 薄膜形成用金属ハロゲン化合物の固体気化供給システム。

    出願日
    2019年2月7日
    登録番号
    6901153
    技術分野
    電気分解または電気泳動方法;そのための装置
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  18. ビス(アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル)亜鉛、化学蒸着用原料、および亜鉛を含有する薄膜の製造方法

    出願日
    2018年12月6日
    登録番号
    7114072
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  19. ビス(アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル)亜鉛、化学蒸着用原料、および亜鉛を含有する薄膜の製造方法

    出願日
    2018年12月6日
    登録番号
    7114072
    技術分野
    有機化学
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  20. ビス(アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル)亜鉛、化学蒸着用原料、および亜鉛を含有する薄膜の製造方法

    出願日
    2018年12月6日
    登録番号
    7114072
    技術分野
    金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  21. ビス(アルキルテトラメチルシクロペンタジエニル)亜鉛、化学蒸着用原料、および亜鉛を含有する薄膜の製造方法

    出願日
    2018年12月6日
    登録番号
    7114072
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  22. 負熱膨張性マンガン窒化物微粒子群の製造方法およびマンガン窒化物微粒子群

    出願日
    2018年7月20日
    登録番号
    7092303
    技術分野
    無機化学
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  23. 負熱膨張性マンガン窒化物微粒子群の製造方法およびマンガン窒化物微粒子群

    出願日
    2018年7月20日
    登録番号
    7092303
    技術分野
    破砕,または粉砕;製粉のための穀粒の前処理
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  24. 負熱膨張性マンガン窒化物微粒子群の製造方法およびマンガン窒化物微粒子群

    出願日
    2018年7月20日
    登録番号
    7092303
    技術分野
    無機化学
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  25. 負熱膨張性マンガン窒化物微粒子群の製造方法およびマンガン窒化物微粒子群

    出願日
    2018年7月20日
    登録番号
    7092303
    技術分野
    破砕,または粉砕;製粉のための穀粒の前処理
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  26. 金属薄膜の原子層堆積方法

    出願日
    2018年7月13日
    登録番号
    7245521
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  27. 金属薄膜の原子層堆積方法

    出願日
    2018年7月13日
    登録番号
    7245521
    技術分野
    金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  28. 金属薄膜の原子層堆積方法

    出願日
    2018年7月13日
    登録番号
    7245521
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  29. 金属薄膜の原子層堆積方法

    出願日
    2018年7月13日
    登録番号
    7245521
    技術分野
    金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  30. 蒸発原料用容器の製造方法

    出願日
    2018年6月25日
    登録番号
    7144032
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)