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1. 水晶デバイスの製造法

   出願日

   2022年9月14日

   登録番号

   7433592

   技術分野

   基本電子回路

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

2. 水晶デバイスの製造法

   出願日

   2022年9月14日

   登録番号

   7433592

   技術分野

   基本電子回路

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

3. 蒸着源

   出願日

   2020年3月10日

   登録番号

   7473892

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

4. 蒸着源

   出願日

   2020年3月10日

   登録番号

   7473892

   技術分野

   他に分類されない電気技術

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

5. 蒸着源

   出願日

   2020年3月10日

   登録番号

   7473892

   技術分野

   他に分類されない電気技術

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

6. 蒸着源

   出願日

   2020年3月10日

   登録番号

   7473892

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

7. リーク検査方法及びリーク検査装置

   出願日

   2020年2月28日

   登録番号

   7470373

   技術分野

   測定；試験

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

8. リーク検査方法及びリーク検査装置

   出願日

   2020年2月28日

   登録番号

   7470373

   技術分野

   基本電子回路

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

9. リーク検査方法及びリーク検査装置

   出願日

   2020年2月28日

   登録番号

   7470373

   技術分野

   基本電子回路

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

10. プラズマ処理装置、バイアス印加機構、および基板パレット

    出願日

    2020年2月19日

    登録番号

    7448938

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

11. プラズマ処理装置、バイアス印加機構、および基板パレット

    出願日

    2020年2月19日

    登録番号

    7448938

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

12. プラズマ処理装置、バイアス印加機構、および基板パレット

    出願日

    2020年2月19日

    登録番号

    7448938

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

13. プローブピン位置合せ装置及びプローブピン位置合せ装置を使用した電子デバイスの製造方法

    出願日

    2019年5月9日

    登録番号

    7218909

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

14. プローブピン位置合せ装置及びプローブピン位置合せ装置を使用した電子デバイスの製造方法

    出願日

    2019年5月9日

    登録番号

    7218909

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

15. プローブピン位置合せ装置及びプローブピン位置合せ装置を使用した電子デバイスの製造方法

    出願日

    2019年5月9日

    登録番号

    7218909

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

16. プローブピン位置合せ装置及びプローブピン位置合せ装置を使用した電子デバイスの製造方法

    出願日

    2019年5月9日

    登録番号

    7218909

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

17. プローブピン位置合せ装置及びプローブピン位置合せ装置を使用した電子デバイスの製造方法

    出願日

    2019年5月9日

    登録番号

    7218909

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

18. プローブピン位置合せ装置及びプローブピン位置合せ装置を使用した電子デバイスの製造方法

    出願日

    2019年5月9日

    登録番号

    7218909

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

19. 環状成膜方法、環状成膜具および環状成膜用マスク

    出願日

    2017年10月13日

    登録番号

    7161163

    技術分野

    光学

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

20. 環状成膜方法、環状成膜具および環状成膜用マスク

    出願日

    2017年10月13日

    登録番号

    7161163

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

21. 環状成膜方法、環状成膜具および環状成膜用マスク

    出願日

    2017年10月13日

    登録番号

    7161163

    技術分野

    光学

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

22. 膜厚監視装置、成膜装置及び膜厚監視方法

    出願日

    2017年9月29日

    登録番号

    7022419

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

23. 膜厚監視装置、成膜装置及び膜厚監視方法

    出願日

    2017年9月29日

    登録番号

    7022419

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

24. 膜厚監視装置、成膜装置及び膜厚監視方法

    出願日

    2017年9月29日

    登録番号

    7022419

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

25. 膜厚監視装置、成膜装置及び膜厚監視方法

    出願日

    2017年9月29日

    登録番号

    7022419

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

26. 反応性スパッタリングの膜厚制御方法および装置

    出願日

    2017年7月25日

    登録番号

    7038394

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

27. プラズマ生成装置及びイオン源

    出願日

    2017年7月20日

    登録番号

    6945844

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

28. プラズマ生成装置及びイオン源

    出願日

    2017年7月20日

    登録番号

    6945844

    技術分野

    他に分類されない電気技術

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

29. プラズマ生成装置及びイオン源

    出願日

    2017年7月20日

    登録番号

    6945844

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

30. プラズマ生成装置及びイオン源

    出願日

    2017年7月20日

    登録番号

    6945844

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）