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ウルトラメモリ株式会社

特許 全81件

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全81件 (1〜30件目を表示)

  1. 半導体装置

    出願日
    2022年7月5日
    登録番号
    7190230
    技術分野
    情報記憶
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  2. 半導体装置

    出願日
    2022年7月5日
    登録番号
    7190230
    技術分野
    計算または計数
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  3. 半導体装置

    出願日
    2022年7月5日
    登録番号
    7190230
    技術分野
    計算または計数
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  4. 半導体装置

    出願日
    2022年7月5日
    登録番号
    7190230
    技術分野
    情報記憶
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  5. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2020年5月11日
    登録番号
    7352992
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  6. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2020年5月11日
    登録番号
    7352992
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  7. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2020年5月11日
    登録番号
    7352992
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  8. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2020年5月11日
    登録番号
    7352992
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  9. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2020年5月11日
    登録番号
    7352992
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  10. 半導体装置

    出願日
    2020年5月8日
    登録番号
    7278016
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  11. 半導体装置

    出願日
    2020年5月8日
    登録番号
    7278016
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  12. 半導体モジュール、DIMMモジュール、及びそれらの製造方法

    出願日
    2019年11月11日
    登録番号
    6704165
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  13. 半導体モジュール、DIMMモジュール、及びそれらの製造方法

    出願日
    2019年11月11日
    登録番号
    6704165
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  14. 半導体モジュール、DIMMモジュール、及びそれらの製造方法

    出願日
    2019年11月11日
    登録番号
    6704165
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  15. 半導体モジュール、DIMMモジュール、及びそれらの製造方法

    出願日
    2019年11月11日
    登録番号
    6704165
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  16. 半導体モジュール、DIMMモジュール、及びそれらの製造方法

    出願日
    2019年11月11日
    登録番号
    6704165
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  17. 積層半導体の製造方法

    出願日
    2019年10月9日
    登録番号
    7360204
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  18. 半導体モジュール、その製造方法、及び半導体モジュールの実装体

    出願日
    2019年7月18日
    登録番号
    7210066
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  19. 半導体モジュール及びその製造方法

    出願日
    2019年5月31日
    登録番号
    7222564
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  20. 半導体モジュール及びその製造方法

    出願日
    2019年5月31日
    登録番号
    7222564
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  21. 半導体モジュール、半導体部材、及びその製造方法

    出願日
    2019年1月30日
    登録番号
    7210051
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  22. 半導体モジュール、半導体部材、及びその製造方法

    出願日
    2019年1月30日
    登録番号
    7210051
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  23. 半導体モジュール及びその製造方法

    出願日
    2018年12月13日
    登録番号
    6798730
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  24. 半導体モジュール及びその製造方法

    出願日
    2018年12月13日
    登録番号
    6798730
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  25. 半導体モジュール及びその製造方法

    出願日
    2018年12月13日
    登録番号
    6798730
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  26. 半導体モジュール及びその製造方法

    出願日
    2018年12月13日
    登録番号
    6798730
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  27. 半導体モジュールの製造方法

    出願日
    2018年12月11日
    登録番号
    6844877
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  28. 半導体モジュールの製造方法

    出願日
    2018年12月11日
    登録番号
    6844877
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  29. 半導体モジュールの製造方法

    出願日
    2018年12月11日
    登録番号
    6844877
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)
  30. 半導体モジュール

    出願日
    2017年11月21日
    登録番号
    7033332
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元:Gビズインフォ(特許庁データ)