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株式会社イオンテクノセンター

特許 全11件

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全11件 （1〜11件目を表示）

  1. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）