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株式会社フローディア

特許 全129件

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全129件 （1〜30件目を表示）

  1. 不揮発性メモリセル及び不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2022年5月31日
    登録番号
    7450283
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 不揮発性メモリセル及び不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2022年5月31日
    登録番号
    7450283
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 半導体記憶装置

    出願日
    2020年2月4日
    登録番号
    6721205
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 半導体記憶装置

    出願日
    2020年2月4日
    登録番号
    6721205
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 半導体記憶装置

    出願日
    2020年2月4日
    登録番号
    6721205
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 半導体記憶装置

    出願日
    2020年2月4日
    登録番号
    6721205
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 積和演算装置

    出願日
    2018年8月2日
    登録番号
    6789576
    技術分野
    計算または計数
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 積和演算装置

    出願日
    2018年8月2日
    登録番号
    6789576
    技術分野
    計算または計数
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 固体撮像装置及びカメラシステム

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    6398021
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 固体撮像装置及びカメラシステム

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    6398021
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 固体撮像装置及びカメラシステム

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    6398021
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 固体撮像装置及びカメラシステム

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    6398021
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 固体撮像装置及びカメラシステム

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    6398021
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 固体撮像装置及びカメラシステム

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    6398021
    技術分野
    電気通信技術
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 固体撮像装置及びカメラシステム

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    6398021
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 不揮発性ＳＲＡＭメモリセル及び不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年12月27日
    登録番号
    6368848
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 不揮発性ＳＲＡＭメモリセル及び不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年12月27日
    登録番号
    6368848
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 不揮発性ＳＲＡＭメモリセル及び不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年12月27日
    登録番号
    6368848
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年3月24日
    登録番号
    6276447
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年3月24日
    登録番号
    6276447
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年3月24日
    登録番号
    6276447
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年3月24日
    登録番号
    6276447
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年3月24日
    登録番号
    6276447
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年3月24日
    登録番号
    6276447
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2017年3月24日
    登録番号
    6276447
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. メモリセル、および不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2016年8月24日
    登録番号
    6069569
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. メモリセル、および不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2016年8月24日
    登録番号
    6069569
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. メモリセル、および不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2016年8月24日
    登録番号
    6069569
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. 不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法

    出願日
    2016年4月20日
    登録番号
    6783447
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 不揮発性半導体記憶装置のデータ書き込み方法

    出願日
    2016年4月20日
    登録番号
    6783447
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）