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丸文株式会社

特許 全17件

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全17件 （1〜17件目を表示）

  1. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2019年1月25日
    登録番号
    7316610
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2019年1月25日
    登録番号
    7316610
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2016年11月1日
    登録番号
    6156898
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2016年11月1日
    登録番号
    6156898
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2016年9月2日
    登録番号
    6230038
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2016年9月2日
    登録番号
    6230038
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2016年9月2日
    登録番号
    6230038
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2016年9月2日
    登録番号
    6230038
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2015年7月29日
    登録番号
    5999800
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2015年7月29日
    登録番号
    5999800
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2014年10月24日
    登録番号
    5757512
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 深紫外ＬＥＤ及びその製造方法

    出願日
    2014年10月24日
    登録番号
    5757512
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. フォトニック結晶周期構造のパラメータ計算方法、プログラム及び記録媒体

    出願日
    2014年7月16日
    登録番号
    5967851
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 半導体発光素子及びフォトニック結晶周期構造のパラメータ計算方法

    出願日
    2014年7月16日
    登録番号
    5765865
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 半導体発光素子及びフォトニック結晶周期構造のパラメータ計算方法

    出願日
    2014年7月16日
    登録番号
    5765865
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 半導体発光素子及びフォトニック結晶周期構造のパラメータ計算方法

    出願日
    2014年7月16日
    登録番号
    5765865
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. フォトニック結晶周期構造のパラメータ計算方法、プログラム及び記録媒体

    出願日
    2014年7月16日
    登録番号
    5967851
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）