全1911件 （1〜30件目を表示）

1. シリコン単結晶製造装置

   出願日

   2023年6月28日

   登録番号

   7460010

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

2. シリコン単結晶製造装置

   出願日

   2023年6月28日

   登録番号

   7460010

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

3. エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ

   出願日

   2022年11月10日

   登録番号

   7384264

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

4. エピタキシャル成長用シリコンウェーハ及びエピタキシャルウェーハ

   出願日

   2022年11月10日

   登録番号

   7384264

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

5. エピタキシャルウェーハの製造方法

   出願日

   2022年10月24日

   登録番号

   7416171

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

6. エピタキシャルウェーハの製造方法

   出願日

   2022年10月24日

   登録番号

   7416171

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

7. エピタキシャルウェーハの製造方法

   出願日

   2022年10月24日

   登録番号

   7416171

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

8. エピタキシャルウェーハの製造方法

   出願日

   2022年10月24日

   登録番号

   7416171

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

9. エピタキシャルウェーハの製造方法

   出願日

   2022年10月24日

   登録番号

   7416171

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

10. エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年9月28日

    登録番号

    7276582

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

11. エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年9月28日

    登録番号

    7276582

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

12. エピタキシャル成長用サセプタ及びエピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年9月28日

    登録番号

    7276582

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

13. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年9月27日

    登録番号

    7487407

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

14. 接合型ウェーハの剥離方法

    出願日

    2022年9月27日

    登録番号

    7408881

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

15. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年9月27日

    登録番号

    7487407

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

16. 接合型ウェーハの剥離方法

    出願日

    2022年9月27日

    登録番号

    7408881

    技術分野

    工作機械；他に分類されない金属加工

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

17. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年9月27日

    登録番号

    7487407

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

18. 接合型ウェーハの剥離方法

    出願日

    2022年9月27日

    登録番号

    7408881

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

19. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年9月27日

    登録番号

    7487407

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

20. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年9月27日

    登録番号

    7487407

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

21. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年9月27日

    登録番号

    7487407

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

22. 窒化物半導体基板及びその製造方法

    出願日

    2022年8月22日

    登録番号

    7215630

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

23. 窒化物半導体基板及びその製造方法

    出願日

    2022年8月22日

    登録番号

    7215630

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

24. 窒化物半導体基板及びその製造方法

    出願日

    2022年8月22日

    登録番号

    7215630

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

25. 窒化物半導体基板及びその製造方法

    出願日

    2022年8月22日

    登録番号

    7215630

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

26. 窒化物半導体基板及びその製造方法

    出願日

    2022年8月22日

    登録番号

    7215630

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

27. 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法

    出願日

    2022年6月27日

    登録番号

    7298757

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

28. 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法

    出願日

    2022年6月27日

    登録番号

    7298757

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

29. 接合型発光素子ウェーハ及びその製造方法

    出願日

    2022年6月27日

    登録番号

    7298757

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

30. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日

    2022年6月14日

    登録番号

    7306536

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）