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株式会社エース

特許 全9件

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全9件 （1〜9件目を表示）

  1. 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

    出願日
    2022年7月21日
    登録番号
    7286848
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

    出願日
    2022年7月21日
    登録番号
    7358576
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

    出願日
    2022年7月21日
    登録番号
    7286847
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

    出願日
    2022年7月21日
    登録番号
    7286847
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

    出願日
    2022年7月21日
    登録番号
    7286848
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

    出願日
    2022年7月21日
    登録番号
    7358576
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

    出願日
    2022年7月21日
    登録番号
    7286847
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

    出願日
    2022年7月21日
    登録番号
    7358576
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 成膜装置及び膜付きウェハの製造方法

    出願日
    2022年7月21日
    登録番号
    7286848
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）