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株式会社パウデック

特許 全63件

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全63件 （1〜30件目を表示）

  1. 半導体回路

    出願日
    2021年12月24日
    登録番号
    7388749
    技術分野
    基本電子回路
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7061779
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7061779
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7061779
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7061779
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7061779
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7061779
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7061779
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7061779
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7061779
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. ダイオード、受電装置および電力伝送システム

    出願日
    2021年6月29日
    登録番号
    6990948
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. ダイオード、受電装置および電力伝送システム

    出願日
    2021年6月29日
    登録番号
    6990948
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. ダイオード、受電装置および電力伝送システム

    出願日
    2021年6月29日
    登録番号
    6990948
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. ダイオード、受電装置および電力伝送システム

    出願日
    2021年6月29日
    登録番号
    6990948
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. ダイオード、受電装置および電力伝送システム

    出願日
    2021年6月29日
    登録番号
    6990948
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年3月11日
    登録番号
    6941904
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年3月11日
    登録番号
    6941904
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年3月11日
    登録番号
    6941904
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年3月11日
    登録番号
    6941904
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年2月15日
    登録番号
    6941903
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. ノーマリーオフ型分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2021年2月15日
    登録番号
    6941903
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. 半導体回路

    出願日
    2020年5月27日
    登録番号
    7374486
    技術分野
    基本電子回路
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. ダイオード、ダイオードの製造方法および電気機器

    出願日
    2019年11月29日
    登録番号
    6679036
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. ダイオード、ダイオードの製造方法および電気機器

    出願日
    2019年11月29日
    登録番号
    6679036
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. ダイオード、ダイオードの製造方法および電気機器

    出願日
    2019年11月29日
    登録番号
    6679036
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. ダイオード、ダイオードの製造方法および電気機器

    出願日
    2019年11月29日
    登録番号
    6679036
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. ダイオード、ダイオードの製造方法および電気機器

    出願日
    2019年11月29日
    登録番号
    6679036
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. ダイオード、ダイオードの製造方法および電気機器

    出願日
    2019年11月29日
    登録番号
    6679036
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. 分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2019年5月31日
    登録番号
    6708866
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 分極超接合ＧａＮ系電界効果トランジスタおよび電気機器

    出願日
    2019年5月31日
    登録番号
    6708866
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）