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アリオス株式会社

特許 全28件

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全28件 （1〜28件目を表示）

  1. ダイヤモンド合成用ＣＶＤ装置

    出願日
    2019年12月11日
    登録番号
    7304280
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. ダイヤモンド合成用ＣＶＤ装置

    出願日
    2019年12月11日
    登録番号
    7304280
    技術分野
    無機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. ダイヤモンド合成用ＣＶＤ装置

    出願日
    2019年12月11日
    登録番号
    7304280
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. ダイヤモンド合成用ＣＶＤ装置

    出願日
    2019年12月11日
    登録番号
    7304280
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. ダイヤモンド合成用ＣＶＤ装置

    出願日
    2019年12月11日
    登録番号
    7304280
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. ダイヤモンド合成用ＣＶＤ装置

    出願日
    2019年12月11日
    登録番号
    7304280
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 熱フィラメントＣＶＤ装置

    出願日
    2017年11月18日
    登録番号
    7012304
    技術分野
    無機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 熱フィラメントＣＶＤ装置

    出願日
    2017年11月18日
    登録番号
    7012304
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 熱フィラメントＣＶＤ装置

    出願日
    2017年11月18日
    登録番号
    7012304
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 熱フィラメントＣＶＤ装置

    出願日
    2017年11月18日
    登録番号
    7012304
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 熱フィラメントＣＶＤ装置

    出願日
    2017年11月18日
    登録番号
    7012304
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. プラズマＣＶＤ装置及びダイヤモンドの成長方法

    出願日
    2016年3月9日
    登録番号
    6709491
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. プラズマＣＶＤ装置及びダイヤモンドの成長方法

    出願日
    2016年3月9日
    登録番号
    6709491
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. プラズマＣＶＤ装置及びダイヤモンドの成長方法

    出願日
    2016年3月9日
    登録番号
    6709491
    技術分野
    無機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. プラズマＣＶＤ装置及びダイヤモンドの成長方法

    出願日
    2016年3月9日
    登録番号
    6709491
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. プラズマＣＶＤ装置及びダイヤモンドの成長方法

    出願日
    2016年3月9日
    登録番号
    6709491
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. プラズマＣＶＤ装置及びダイヤモンドの成長方法

    出願日
    2016年3月9日
    登録番号
    6709491
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. プラズマＣＶＤ装置及びダイヤモンドの成長方法

    出願日
    2016年3月9日
    登録番号
    6709491
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. プラズマ化学気相成長装置

    出願日
    2015年6月24日
    登録番号
    6483546
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. プラズマ化学気相成長装置

    出願日
    2015年6月24日
    登録番号
    6483546
    技術分野
    他に分類されない電気技術
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. ダイヤモンドの製造方法

    出願日
    2015年5月19日
    登録番号
    6561402
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. ダイヤモンドの製造方法

    出願日
    2015年5月19日
    登録番号
    6561402
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. 酸化タングステン及び金属タングステン微粒子の製造方法とそれにより得られる微粒子

    出願日
    2014年7月25日
    登録番号
    6342251
    技術分野
    鋳造；粉末冶金
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. 酸化タングステン及び金属タングステン微粒子の製造方法とそれにより得られる微粒子

    出願日
    2014年7月25日
    登録番号
    6342251
    技術分野
    物理的または化学的方法または装置一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. 酸化タングステン及び金属タングステン微粒子の製造方法とそれにより得られる微粒子

    出願日
    2014年7月25日
    登録番号
    6342251
    技術分野
    物理的または化学的方法または装置一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. 酸化タングステン及び金属タングステン微粒子の製造方法とそれにより得られる微粒子

    出願日
    2014年7月25日
    登録番号
    6342251
    技術分野
    鋳造；粉末冶金
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. 酸化タングステン及び金属タングステン微粒子の製造方法とそれにより得られる微粒子

    出願日
    2014年7月25日
    登録番号
    6342251
    技術分野
    物理的または化学的方法または装置一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. 酸化タングステン及び金属タングステン微粒子の製造方法とそれにより得られる微粒子

    出願日
    2014年7月25日
    登録番号
    6342251
    技術分野
    無機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）