プルミアム
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ＳＵＭＣＯ　ＴＥＣＨＸＩＶ株式会社

特許 全12件

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全12件 （1〜12件目を表示）

  1. ポリッシュドシリコンウェーハのエッチング条件調整方法及びそれを用いたポリッシュドシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2018年10月23日
    登録番号
    7023211
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. ポリッシュドシリコンウェーハのエッチング条件調整方法及びそれを用いたポリッシュドシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2018年10月23日
    登録番号
    7023211
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. ポリッシュドシリコンウェーハのエッチング条件調整方法及びそれを用いたポリッシュドシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2018年10月23日
    登録番号
    7023211
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. ポリッシュドシリコンウェーハのエッチング条件調整方法及びそれを用いたポリッシュドシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2018年10月23日
    登録番号
    7023211
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. ポリッシュドシリコンウェーハのエッチング条件調整方法及びそれを用いたポリッシュドシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2018年10月23日
    登録番号
    7023211
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 半導体ウェーハの枚葉式洗浄装置

    出願日
    2016年9月8日
    登録番号
    6632949
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. チャック機構

    出願日
    2016年8月12日
    登録番号
    6570074
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2014年4月15日
    登録番号
    5890587
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2014年4月15日
    登録番号
    5890587
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2014年4月15日
    登録番号
    5890587
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2014年4月15日
    登録番号
    5890587
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 単結晶の製造方法およびシリコンウェーハの製造方法

    出願日
    2014年4月15日
    登録番号
    5890587
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）