プルミアム
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株式会社フェニックス・テクノ

特許 全4件

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全4件 （1〜4件目を表示）

  1. ＧａＮ単結晶成長方法及びＧａＮ単結晶成長装置

    出願日
    2017年7月21日
    登録番号
    6631813
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. ＧａＮ単結晶成長方法及びＧａＮ単結晶成長装置

    出願日
    2017年7月21日
    登録番号
    6631813
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 窒化ガリウム単結晶の製造方法及びＩＩＩ　族元素窒化物単結晶の製造装置

    出願日
    2016年12月22日
    登録番号
    6606562
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 窒化ガリウム単結晶の製造方法及びＩＩＩ　族元素窒化物単結晶の製造装置

    出願日
    2016年12月22日
    登録番号
    6606562
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）