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株式会社ディスコ

特許 全11300件

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全11300件 （1〜30件目を表示）

  1. デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンド、デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子、およびデトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子の製造方法

    出願日
    2023年3月8日
    登録番号
    7382692
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンド、デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子、およびデトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子の製造方法

    出願日
    2023年3月8日
    登録番号
    7382692
    技術分野
    物理的または化学的方法または装置一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンド、デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子、およびデトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子の製造方法

    出願日
    2023年3月8日
    登録番号
    7382692
    技術分野
    無機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンド、デトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子、およびデトネーションダイヤモンド含有単結晶質ダイヤモンドを備える多結晶ダイヤモンド粒子の製造方法

    出願日
    2023年3月8日
    登録番号
    7382692
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 半導体部材加工砥石、半導体部材加工工具、半導体製造装置、および半導体部材加工砥石の製造方法

    出願日
    2022年12月17日
    登録番号
    7479577
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 基板を処理する方法

    出願日
    2022年9月8日
    登録番号
    7456654
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 基板を処理する方法

    出願日
    2022年9月8日
    登録番号
    7456654
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 基板を処理する方法および基板を処理する為の方法

    出願日
    2022年4月8日
    登録番号
    7354340
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 基板を処理する方法および基板を処理する為の方法

    出願日
    2022年4月8日
    登録番号
    7354340
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 基板を処理する方法および基板を処理する為の方法

    出願日
    2022年4月8日
    登録番号
    7354340
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 加工装置および加工方法

    出願日
    2022年3月29日
    登録番号
    7411143
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 加工装置および加工方法

    出願日
    2022年3月29日
    登録番号
    7411143
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 加工装置および加工方法

    出願日
    2022年3月29日
    登録番号
    7411143
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 加工装置および加工方法

    出願日
    2022年3月29日
    登録番号
    7411143
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 加工装置および加工方法

    出願日
    2022年3月29日
    登録番号
    7411143
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. ダイヤモンド形成用構造体、およびダイヤモンド形成用構造体の製造方法

    出願日
    2021年10月21日
    登録番号
    6998634
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. ダイヤモンド形成用構造体、およびダイヤモンド形成用構造体の製造方法

    出願日
    2021年10月21日
    登録番号
    6998634
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. ダイヤモンド形成用構造体、およびダイヤモンド形成用構造体の製造方法

    出願日
    2021年10月21日
    登録番号
    6998634
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 基板加工方法

    出願日
    2021年8月6日
    登録番号
    7275208
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 基板加工方法

    出願日
    2021年8月6日
    登録番号
    7275208
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 基板加工方法

    出願日
    2021年8月6日
    登録番号
    7275208
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. ダイヤモンド成膜方法及びダイヤモンド成膜装置

    出願日
    2021年7月9日
    登録番号
    7253208
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. ダイヤモンド成膜方法及びダイヤモンド成膜装置

    出願日
    2021年7月9日
    登録番号
    7253208
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. ダイヤモンド成膜方法及びダイヤモンド成膜装置

    出願日
    2021年7月9日
    登録番号
    7253208
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. 単結晶ダイヤモンドの製造方法および単結晶ダイヤモンド

    出願日
    2021年6月28日
    登録番号
    7033824
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. 単結晶ダイヤモンドの製造方法および単結晶ダイヤモンド

    出願日
    2021年6月28日
    登録番号
    7033824
    技術分野
    物理的または化学的方法または装置一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. 単結晶ダイヤモンドの製造方法および単結晶ダイヤモンド

    出願日
    2021年6月28日
    登録番号
    7033824
    技術分野
    物理的または化学的方法または装置一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. 単結晶ダイヤモンドの製造方法および単結晶ダイヤモンド

    出願日
    2021年6月28日
    登録番号
    7033824
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. 単結晶ダイヤモンドの製造方法および単結晶ダイヤモンド

    出願日
    2021年6月28日
    登録番号
    7033824
    技術分野
    物理的または化学的方法または装置一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 基板を製造する方法および基板を製造する為のシステム

    出願日
    2021年5月10日
    登録番号
    7156590
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）