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株式会社テンシックス

特許 全78件

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全78件 （1〜30件目を表示）

  1. 化合物半導体基板及びその製造方法

    出願日
    2017年7月19日
    登録番号
    6854516
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 化合物半導体基板及びその製造方法

    出願日
    2017年7月19日
    登録番号
    6854516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 化合物半導体基板及びその製造方法

    出願日
    2017年7月19日
    登録番号
    6854516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 化合物半導体基板及びその製造方法

    出願日
    2017年7月19日
    登録番号
    6854516
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 化合物半導体基板及びその製造方法

    出願日
    2017年7月19日
    登録番号
    6854516
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 化合物半導体基板及びその製造方法

    出願日
    2017年7月19日
    登録番号
    6854516
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 化合物半導体基板及びその製造方法

    出願日
    2017年7月19日
    登録番号
    6854516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 化合物半導体基板及びその製造方法

    出願日
    2017年7月19日
    登録番号
    6854516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7029778
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    6930746
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    6930746
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    6937011
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7113554
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    6937011
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7113554
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7113554
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    6937011
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7029778
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7113554
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    6937011
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    6937011
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    6930746
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7029778
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7029778
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7113554
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7113554
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7113554
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. 半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7029778
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    7113554
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2017年5月31日
    登録番号
    6930746
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）