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株式会社ノベルクリスタルテクノロジー

特許 全219件

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全219件 （1〜30件目を表示）

  1. 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法

    出願日
    2021年8月6日
    登録番号
    7083139
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法

    出願日
    2021年8月6日
    登録番号
    7083139
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法

    出願日
    2021年8月6日
    登録番号
    7083139
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法

    出願日
    2021年8月6日
    登録番号
    7083139
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法

    出願日
    2021年8月6日
    登録番号
    7083139
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 半導体基板、半導体ウエハ、及び半導体ウエハの製造方法

    出願日
    2021年8月6日
    登録番号
    7083139
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. パワー半導体素子及びその製造方法

    出願日
    2020年6月5日
    登録番号
    6873516
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 半導体装置

    出願日
    2019年12月26日
    登録番号
    7391326
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 半導体装置

    出願日
    2019年12月26日
    登録番号
    7391326
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 半導体装置

    出願日
    2019年12月26日
    登録番号
    7391326
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. トレンチ型ＭＥＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382559
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. トレンチ型ＭＥＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382559
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382558
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382558
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382558
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382558
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382558
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. トレンチ型ＭＥＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382559
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382558
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. トレンチ型ＭＯＳＦＥＴ

    出願日
    2019年12月25日
    登録番号
    7382558
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）