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1. 真空処理装置、静電チャック及び搬送ローラ

   出願日

   2023年10月26日

   登録番号

   7406054

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

2. 真空処理装置、静電チャック及び搬送ローラ

   出願日

   2023年10月26日

   登録番号

   7406054

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

3. 真空処理装置、静電チャック及び搬送ローラ

   出願日

   2023年10月26日

   登録番号

   7406054

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

4. 酸化物半導体薄膜、半導体デバイス及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

   出願日

   2023年9月14日

   登録番号

   7430843

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

5. 酸化物半導体薄膜、半導体デバイス及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

   出願日

   2023年9月14日

   登録番号

   7430843

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

6. 酸化物半導体薄膜、半導体デバイス及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

   出願日

   2023年9月14日

   登録番号

   7430843

   技術分野

   セメント；コンクリート；人造石；セラミックス；耐火物

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

7. 酸化物半導体薄膜、半導体デバイス及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

   出願日

   2023年9月14日

   登録番号

   7430843

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

8. 酸化物半導体薄膜、半導体デバイス及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

   出願日

   2023年9月14日

   登録番号

   7430843

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

9. 酸化物半導体薄膜、半導体デバイス及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット及びスパッタリングターゲットの製造方法

   出願日

   2023年9月14日

   登録番号

   7430843

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

10. 電子ビーム式蒸着ユニット

    出願日

    2023年7月7日

    登録番号

    7421002

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

11. 電子ビーム式蒸着ユニット

    出願日

    2023年7月7日

    登録番号

    7421002

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

12. 酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法

    出願日

    2023年6月29日

    登録番号

    7425933

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

13. 酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法

    出願日

    2023年6月29日

    登録番号

    7425933

    技術分野

    セメント；コンクリート；人造石；セラミックス；耐火物

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

14. 酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲット、酸化物半導体薄膜形成用スパッタリングターゲットの製造方法、酸化物半導体薄膜、薄膜半導体装置及びその製造方法

    出願日

    2023年6月29日

    登録番号

    7425933

    技術分野

    セメント；コンクリート；人造石；セラミックス；耐火物

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

15. 真空蒸着装置用の蒸着源

    出願日

    2023年6月12日

    登録番号

    7404582

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

16. 真空蒸着装置用の蒸着源

    出願日

    2023年6月12日

    登録番号

    7381800

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

17. 真空蒸着装置用の蒸着源

    出願日

    2023年6月12日

    登録番号

    7404582

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

18. ターゲット組立体およびターゲット組立体の製造方法

    出願日

    2023年5月22日

    登録番号

    7376742

    技術分野

    工作機械；他に分類されない金属加工

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

19. ターゲット組立体およびターゲット組立体の製造方法

    出願日

    2023年5月22日

    登録番号

    7376742

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

20. モリブデンターゲットおよびその製造方法

    出願日

    2023年5月15日

    登録番号

    7394249

    技術分野

    鋳造；粉末冶金

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

21. モリブデンターゲットおよびその製造方法

    出願日

    2023年5月15日

    登録番号

    7394249

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

22. モリブデンターゲットおよびその製造方法

    出願日

    2023年5月15日

    登録番号

    7394249

    技術分野

    鋳造；粉末冶金

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

23. モリブデンターゲットおよびその製造方法

    出願日

    2023年5月15日

    登録番号

    7394249

    技術分野

    鋳造；粉末冶金

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

24. モリブデンターゲットおよびその製造方法

    出願日

    2023年5月15日

    登録番号

    7394249

    技術分野

    鋳造；粉末冶金

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

25. モリブデンターゲットおよびその製造方法

    出願日

    2023年5月15日

    登録番号

    7394249

    技術分野

    冶金；鉄または非鉄合金；合金の処理または非鉄金属の処理

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

26. モリブデンターゲットおよびその製造方法

    出願日

    2023年5月15日

    登録番号

    7394249

    技術分野

    冶金；鉄または非鉄合金；合金の処理または非鉄金属の処理

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

27. 表示装置、表示方法、及びプログラム

    出願日

    2023年2月17日

    登録番号

    7413616

    技術分野

    計算または計数

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

28. 酸化物半導体薄膜積層体及びその製造方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、及びスパッタリングターゲット及びその製造方法

    出願日

    2023年2月16日

    登録番号

    7425931

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

29. 酸化物半導体薄膜積層体及びその製造方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、及びスパッタリングターゲット及びその製造方法

    出願日

    2023年2月16日

    登録番号

    7425931

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

30. 酸化物半導体薄膜積層体及びその製造方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、及びスパッタリングターゲット及びその製造方法

    出願日

    2023年2月16日

    登録番号

    7425931

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）