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1. 上部にテーパ形状を持つ、深堀構造を有するシリコン基板の製造方法

   出願日

   2020年3月5日

   登録番号

   7438529

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

2. 上部にテーパ形状を持つ、深堀構造を有するシリコン基板の製造方法

   出願日

   2020年3月5日

   登録番号

   7438529

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

3. 振動検出素子およびその製造方法

   出願日

   2020年2月20日

   登録番号

   7421178

   技術分野

   測定；試験

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

4. 水プラズマによる透明樹脂の接合方法

   出願日

   2019年9月30日

   登録番号

   7395175

   技術分野

   プラスチックの加工；可塑状態の物質の加工一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

5. 水プラズマによる透明樹脂の接合方法

   出願日

   2019年9月30日

   登録番号

   7395175

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

6. 水プラズマによる透明樹脂の接合方法

   出願日

   2019年9月30日

   登録番号

   7395175

   技術分野

   マイクロ構造技術

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

7. 水プラズマによる透明樹脂の接合方法

   出願日

   2019年9月30日

   登録番号

   7395175

   技術分野

   マイクロ構造技術

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

8. 水プラズマによる透明樹脂の接合方法

   出願日

   2019年9月30日

   登録番号

   7395175

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

9. 水プラズマによる透明樹脂の接合方法

   出願日

   2019年9月30日

   登録番号

   7395175

   技術分野

   測定；試験

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

10. 金属窒化物膜製造方法

    出願日

    2019年3月13日

    登録番号

    7258339

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

11. 金属窒化物膜製造方法

    出願日

    2019年3月13日

    登録番号

    7258339

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

12. 金属窒化物膜製造方法

    出願日

    2019年3月13日

    登録番号

    7258339

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

13. 金属窒化物膜製造方法

    出願日

    2019年3月13日

    登録番号

    7258339

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

14. 金属窒化物膜製造方法

    出願日

    2019年3月13日

    登録番号

    7258339

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

15. 金属窒化物膜製造方法

    出願日

    2019年3月13日

    登録番号

    7258339

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

16. 金属窒化物膜製造方法

    出願日

    2019年3月13日

    登録番号

    7258339

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

17. シクロオレフィンポリマーと金属の接合方法、およびバイオセンサの製造方法

    出願日

    2018年12月10日

    登録番号

    7089790

    技術分野

    プラスチックの加工；可塑状態の物質の加工一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

18. シクロオレフィンポリマーと金属の接合方法、およびバイオセンサの製造方法

    出願日

    2018年12月10日

    登録番号

    7089790

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

19. ＳｉＣトレンチ型ＭＯＳＦＥＴのトレンチ作製方法

    出願日

    2018年11月6日

    登録番号

    7220455

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

20. ＳｉＣトレンチ型ＭＯＳＦＥＴのトレンチ作製方法

    出願日

    2018年11月6日

    登録番号

    7220455

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

21. ＳｉＣトレンチ型ＭＯＳＦＥＴのトレンチ作製方法

    出願日

    2018年11月6日

    登録番号

    7220455

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

22. ＳｉＣトレンチ型ＭＯＳＦＥＴのトレンチ作製方法

    出願日

    2018年11月6日

    登録番号

    7220455

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

23. 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板

    出願日

    2018年10月19日

    登録番号

    7224621

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

24. 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板

    出願日

    2018年10月19日

    登録番号

    7224621

    技術分野

    他に分類されない電気技術

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

25. 誘導結合型プラズマ処理装置の防着板

    出願日

    2018年10月19日

    登録番号

    7224621

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

26. 容量結合型プラズマ処理装置

    出願日

    2018年7月19日

    登録番号

    7162868

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

27. マイクロ流路チップ製造方法

    出願日

    2018年7月13日

    登録番号

    7144833

    技術分野

    有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

28. シクロオレフィンポリマーの接合方法

    出願日

    2018年7月13日

    登録番号

    7109068

    技術分野

    マイクロ構造技術

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

29. シクロオレフィンポリマーの接合方法

    出願日

    2018年7月13日

    登録番号

    7109068

    技術分野

    プラスチックの加工；可塑状態の物質の加工一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

30. シクロオレフィンポリマーの接合方法

    出願日

    2018年7月13日

    登録番号

    7109068

    技術分野

    物理的または化学的方法または装置一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）