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長野電子工業株式会社

特許 全44件

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全44件 （1〜30件目を表示）

  1. 検査装置及び検査方法

    出願日
    2020年11月18日
    登録番号
    7218340
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 検査装置及び検査方法

    出願日
    2020年11月18日
    登録番号
    7218340
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 半導体基板の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2020年10月8日
    登録番号
    7224325
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 半導体基板の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2020年10月8日
    登録番号
    7224325
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 半導体基板の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2020年10月8日
    登録番号
    7224325
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 半導体基板の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2020年10月8日
    登録番号
    7224325
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 半導体基板の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2020年10月8日
    登録番号
    7224325
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 半導体基板の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2020年10月8日
    登録番号
    7224325
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 半導体基板の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2020年10月8日
    登録番号
    7224325
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. ウェーハの表面形状調整方法

    出願日
    2020年9月7日
    登録番号
    6864145
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. ウェーハの表面形状調整方法

    出願日
    2020年9月7日
    登録番号
    6864145
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ

    出願日
    2018年6月14日
    登録番号
    6827442
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ

    出願日
    2018年6月14日
    登録番号
    6827442
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法及び貼り合わせＳＯＩウェーハ

    出願日
    2018年6月14日
    登録番号
    6827442
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 研磨装置および研磨方法

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    7087166
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 研磨装置および研磨方法

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    6924710
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 研磨装置および研磨方法

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    7087166
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 研磨装置および研磨方法

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    7087166
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 研磨装置および研磨方法

    出願日
    2018年1月9日
    登録番号
    6924710
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法

    出願日
    2016年6月23日
    登録番号
    6498635
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法

    出願日
    2016年6月23日
    登録番号
    6498635
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. 半導体ウェーハの洗浄方法

    出願日
    2016年3月18日
    登録番号
    6424183
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. 半導体ウェーハの洗浄方法

    出願日
    2016年3月18日
    登録番号
    6424183
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. 半導体ウェーハの熱処理方法

    出願日
    2016年2月19日
    登録番号
    6513041
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. 半導体ウェーハの熱処理方法

    出願日
    2016年2月19日
    登録番号
    6513041
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日
    2015年12月28日
    登録番号
    6475609
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日
    2015年12月28日
    登録番号
    6475609
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日
    2015年12月28日
    登録番号
    6475609
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. エピタキシャルウェーハの製造方法

    出願日
    2015年12月28日
    登録番号
    6475609
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 研磨パッドのコンディショニング方法及び研磨装置

    出願日
    2015年10月1日
    登録番号
    6372859
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）