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有限会社サクセス

特許 全85件

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全85件 （1〜30件目を表示）

  1. ＳｉＣ延長インゴットの製造方法

    出願日
    2023年3月29日
    登録番号
    7381031
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. ＳｉＣ延長インゴットの製造方法

    出願日
    2023年3月29日
    登録番号
    7381031
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 半導体結晶ウェハの研削加工方法

    出願日
    2023年2月24日
    登録番号
    7285507
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 半導体結晶ウェハの研削加工方法

    出願日
    2023年2月24日
    登録番号
    7285507
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 半導体結晶ウェハの研削加工方法

    出願日
    2023年2月24日
    登録番号
    7285507
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7260889
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7243996
    技術分野
    セメント，粘土，または石材の加工
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7260889
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7260889
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7260889
    技術分野
    セメント，粘土，または石材の加工
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7260889
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7243996
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7260889
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7243996
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7260889
    技術分野
    セメント，粘土，または石材の加工
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7260889
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7243996
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7243996
    技術分野
    セメント，粘土，または石材の加工
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7243996
    技術分野
    セメント，粘土，または石材の加工
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7243996
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7260889
    技術分野
    セメント，粘土，または石材の加工
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. 半導体結晶ウェハの製造装置および製造方法

    出願日
    2022年10月25日
    登録番号
    7243996
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置

    出願日
    2022年4月18日
    登録番号
    7104909
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置

    出願日
    2022年4月18日
    登録番号
    7104909
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置

    出願日
    2022年4月18日
    登録番号
    7104909
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置

    出願日
    2022年4月18日
    登録番号
    7104909
    技術分野
    セメント，粘土，または石材の加工
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置

    出願日
    2021年12月23日
    登録番号
    7100864
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置

    出願日
    2021年12月23日
    登録番号
    7100864
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置

    出願日
    2021年12月23日
    登録番号
    7100864
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 半導体結晶ウェハの製造方法および製造装置

    出願日
    2021年12月23日
    登録番号
    7100864
    技術分野
    研削；研磨
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）