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日東光器株式会社

特許 全11件

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全11件 （1〜11件目を表示）

  1. 多機能画像取得装置およびそのプリズム

    出願日
    2015年4月17日
    登録番号
    6576084
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 多機能画像取得装置およびそのプリズム

    出願日
    2015年4月17日
    登録番号
    6576084
    技術分野
    光学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 多機能画像取得装置およびそのプリズム

    出願日
    2015年4月17日
    登録番号
    6576084
    技術分野
    電気通信技術
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 多機能画像取得装置およびそのプリズム

    出願日
    2015年4月17日
    登録番号
    6576084
    技術分野
    写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 多機能画像取得装置およびそのプリズム

    出願日
    2015年4月17日
    登録番号
    6576084
    技術分野
    光学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. Ｓｉ基板上に成長した閃亜鉛鉱型（立方晶とも言う。）ＡｌｙＩｎｘＧａ１－ｙ－ｘＮ結晶（ｙ≧０、ｘ＞０）からなる母結晶にナノドット（「量子ドット」とも言う。）を有する活性領域及びこれを用いた発光デバイス（ＬＥＤ及びＬＤ）

    出願日
    2014年5月30日
    登録番号
    6298462
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. Ｓｉ基板上に成長した閃亜鉛鉱型（立方晶とも言う。）ＡｌｙＩｎｘＧａ１－ｙ－ｘＮ結晶（ｙ≧０、ｘ＞０）からなる母結晶にナノドット（「量子ドット」とも言う。）を有する活性領域及びこれを用いた発光デバイス（ＬＥＤ及びＬＤ）

    出願日
    2014年5月30日
    登録番号
    6298462
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. Ｓｉ基板上に成長した閃亜鉛鉱型（立方晶とも言う。）ＡｌｙＩｎｘＧａ１－ｙ－ｘＮ結晶（ｙ≧０、ｘ＞０）からなる母結晶にナノドット（「量子ドット」とも言う。）を有する活性領域及びこれを用いた発光デバイス（ＬＥＤ及びＬＤ）

    出願日
    2014年5月30日
    登録番号
    6298462
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. Ｓｉ基板上に成長した閃亜鉛鉱型（立方晶とも言う。）ＡｌｙＩｎｘＧａ１－ｙ－ｘＮ結晶（ｙ≧０、ｘ＞０）からなる母結晶にナノドット（「量子ドット」とも言う。）を有する活性領域及びこれを用いた発光デバイス（ＬＥＤ及びＬＤ）

    出願日
    2014年5月30日
    登録番号
    6298462
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 磁気力顕微鏡用探針の製造方法

    出願日
    2014年2月28日
    登録番号
    6261075
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 磁気力顕微鏡用探針の製造方法

    出願日
    2014年2月28日
    登録番号
    6261075
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）