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住重アテックス株式会社

特許 全62件

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全62件 （1〜30件目を表示）

  1. 管理システムおよび管理方法

    出願日
    2020年1月28日
    登録番号
    7324156
    技術分野
    信号
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 管理システムおよび管理方法

    出願日
    2020年1月28日
    登録番号
    7324156
    技術分野
    核物理；核工学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 管理システムおよび管理方法

    出願日
    2020年1月28日
    登録番号
    7324156
    技術分野
    医学または獣医学；衛生学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 中性子スペクトル測定装置および中性子スペクトル測定方法

    出願日
    2020年1月20日
    登録番号
    7429124
    技術分野
    核物理；核工学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 中性子スペクトル測定装置および中性子スペクトル測定方法

    出願日
    2020年1月20日
    登録番号
    7429124
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 中性子スペクトル測定装置および中性子スペクトル測定方法

    出願日
    2020年1月20日
    登録番号
    7429124
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. マスクホルダ、固定装置、イオン照射方法

    出願日
    2019年11月11日
    登録番号
    7389619
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. マスクホルダ、固定装置、イオン照射方法

    出願日
    2019年11月11日
    登録番号
    7389619
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169871
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 半導体装置および半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169872
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 半導体装置および半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169872
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169871
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169871
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169871
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 半導体装置および半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169872
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169871
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169871
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 半導体装置および半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169872
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 半導体装置および半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169872
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 半導体装置および半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年12月26日
    登録番号
    7169872
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年9月6日
    登録番号
    7094840
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年9月6日
    登録番号
    7094840
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年9月6日
    登録番号
    7094840
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年9月6日
    登録番号
    7094840
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. 中性子スペクトル測定装置および中性子スペクトル測定方法

    出願日
    2018年8月6日
    登録番号
    7132787
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. 中性子スペクトル測定装置および中性子スペクトル測定方法

    出願日
    2018年8月6日
    登録番号
    7132787
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. 中性子スペクトル測定装置および中性子スペクトル測定方法

    出願日
    2018年8月6日
    登録番号
    7132787
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. 計測方法

    出願日
    2018年6月29日
    登録番号
    7129243
    技術分野
    測定；試験
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. 半導体装置および半導体装置の製造方法

    出願日
    2017年10月24日
    登録番号
    7125257
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 固定装置およびイオン照射方法

    出願日
    2017年10月24日
    登録番号
    6914600
    技術分野
    写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）