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1. 高性能Ｆｅ－Ｇａ基合金単結晶製造方法

   出願日

   2017年4月7日

   登録番号

   6990383

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

2. 高性能Ｆｅ－Ｇａ基合金単結晶製造方法

   出願日

   2017年4月7日

   登録番号

   6990383

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

3. 電磁波のビーム観測方法及び観測システム

   出願日

   2016年8月31日

   登録番号

   6922174

   技術分野

   測定；試験

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

4. 電磁波のビーム観測方法及び観測システム

   出願日

   2016年8月31日

   登録番号

   6922174

   技術分野

   測定；試験

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

5. 電磁波のビーム観測方法及び観測システム

   出願日

   2016年8月31日

   登録番号

   6922174

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

6. るつぼ並びに単結晶の育成装置及び育成方法

   出願日

   2016年6月15日

   登録番号

   7113478

   技術分野

   炉；キルン，窯（かま）またはレトルト

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

7. るつぼ並びに単結晶の育成装置及び育成方法

   出願日

   2016年6月15日

   登録番号

   7113478

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

8. るつぼ並びに単結晶の育成装置及び育成方法

   出願日

   2016年6月15日

   登録番号

   7113478

   技術分野

   結晶成長

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

9. るつぼ並びに単結晶の育成装置及び育成方法

   出願日

   2016年6月15日

   登録番号

   7113478

   技術分野

   炉；キルン，窯（かま）またはレトルト

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

10. 窒化物半導体自立基板作製方法

    出願日

    2016年5月27日

    登録番号

    6711975

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

11. 窒化物半導体自立基板作製方法

    出願日

    2016年5月27日

    登録番号

    6711975

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

12. 窒化物半導体自立基板作製方法

    出願日

    2016年5月27日

    登録番号

    6711975

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

13. 窒化物半導体自立基板作製方法

    出願日

    2016年5月27日

    登録番号

    6711975

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

14. 窒化物半導体自立基板作製方法

    出願日

    2016年5月27日

    登録番号

    6711975

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

15. 窒化物半導体自立基板作製方法

    出願日

    2016年5月27日

    登録番号

    6711975

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

16. 窒化物半導体自立基板作製方法

    出願日

    2016年5月27日

    登録番号

    6711975

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

17. ＳｃＡｌＭｇＯ４単結晶の製造方法

    出願日

    2015年12月28日

    登録番号

    6883383

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

18. タンタル酸リチウム単結晶の育成装置及び育成方法

    出願日

    2015年7月14日

    登録番号

    6675065

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

19. タンタル酸リチウム単結晶の育成装置及び育成方法

    出願日

    2015年7月14日

    登録番号

    6675065

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

20. Ｆｅ－Ｇａ基合金単結晶の育成方法及び育成装置

    出願日

    2015年4月28日

    登録番号

    6606638

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

21. Ｆｅ－Ｇａ基合金単結晶の育成方法及び育成装置

    出願日

    2015年4月28日

    登録番号

    6606638

    技術分野

    鋳造；粉末冶金

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

22. Ｆｅ－Ｇａ基合金単結晶の育成方法及び育成装置

    出願日

    2015年4月28日

    登録番号

    6606638

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

23. 酸化亜鉛結晶の製造方法、酸化亜鉛結晶、シンチレータ材料及びシンチレータ検出器

    出願日

    2015年4月23日

    登録番号

    6623412

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

24. 酸化亜鉛結晶の製造方法、酸化亜鉛結晶、シンチレータ材料及びシンチレータ検出器

    出願日

    2015年4月23日

    登録番号

    6623412

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

25. 酸化亜鉛結晶の製造方法、酸化亜鉛結晶、シンチレータ材料及びシンチレータ検出器

    出願日

    2015年4月23日

    登録番号

    6623412

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

26. 酸化亜鉛結晶の製造方法、酸化亜鉛結晶、シンチレータ材料及びシンチレータ検出器

    出願日

    2015年4月23日

    登録番号

    6623412

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

27. 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法

    出願日

    2015年2月27日

    登録番号

    6514915

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

28. 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法

    出願日

    2015年2月27日

    登録番号

    6514915

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

29. 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法

    出願日

    2015年2月27日

    登録番号

    6514915

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

30. 単結晶基板の製造方法およびレーザ素子の製造方法

    出願日

    2015年2月27日

    登録番号

    6514915

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）