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ユナイテッド・セミコンダクター・ジャパン株式会社

特許 全92件

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全92件 （1〜30件目を表示）

  1. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2019年3月6日
    登録番号
    7268408
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2019年3月6日
    登録番号
    7268408
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2019年3月6日
    登録番号
    7268408
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2019年3月6日
    登録番号
    7268408
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2019年3月6日
    登録番号
    7268408
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年11月28日
    登録番号
    7259290
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年11月28日
    登録番号
    7259290
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 半導体装置の製造方法

    出願日
    2018年11月28日
    登録番号
    7259290
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2018年10月23日
    登録番号
    7234568
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 半導体装置及びその製造方法

    出願日
    2018年10月23日
    登録番号
    7234568
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法

    出願日
    2018年6月5日
    登録番号
    7212239
    技術分野
    計算または計数
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法

    出願日
    2018年6月5日
    登録番号
    7212239
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法

    出願日
    2018年6月5日
    登録番号
    7212239
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法

    出願日
    2018年6月5日
    登録番号
    7212239
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法

    出願日
    2018年6月5日
    登録番号
    7212239
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 不揮発性半導体記憶装置及び不揮発性半導体記憶装置の書き換え方法

    出願日
    2018年6月5日
    登録番号
    7212239
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. 半導体装置

    出願日
    2018年5月25日
    登録番号
    7115037
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2018年4月25日
    登録番号
    7070032
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2018年4月25日
    登録番号
    7070032
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2018年4月25日
    登録番号
    7070032
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 不揮発性半導体記憶装置

    出願日
    2018年4月25日
    登録番号
    7070032
    技術分野
    情報記憶
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）