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東京応化工業株式会社

特許 全3580件

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全3580件 （1〜30件目を表示）

  1. 半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法

    出願日
    2023年6月15日
    登録番号
    7407324
    技術分野
    動物性または植物性油，脂肪，脂肪性物質またはろう；それに由来する脂肪酸；洗浄剤；ろうそく
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法

    出願日
    2023年6月15日
    登録番号
    7407324
    技術分野
    動物性または植物性油，脂肪，脂肪性物質またはろう；それに由来する脂肪酸；洗浄剤；ろうそく
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法

    出願日
    2023年6月15日
    登録番号
    7407324
    技術分野
    動物性または植物性油，脂肪，脂肪性物質またはろう；それに由来する脂肪酸；洗浄剤；ろうそく
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法

    出願日
    2023年6月15日
    登録番号
    7407324
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 半導体デバイス用処理液、基板の処理方法、及び半導体デバイスの製造方法

    出願日
    2023年6月15日
    登録番号
    7407324
    技術分野
    写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. レジスト組成物、レジストパターン形成方法、化合物及び高分子化合物

    出願日
    2022年10月5日
    登録番号
    7433394
    技術分野
    有機化学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. 水性洗浄液及び電子デバイスの洗浄方法

    出願日
    2022年9月27日
    登録番号
    7271776
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. 水性洗浄液及び電子デバイスの洗浄方法

    出願日
    2022年9月27日
    登録番号
    7271776
    技術分野
    清掃
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 水性洗浄液及び電子デバイスの洗浄方法

    出願日
    2022年9月27日
    登録番号
    7271776
    技術分野
    動物性または植物性油，脂肪，脂肪性物質またはろう；それに由来する脂肪酸；洗浄剤；ろうそく
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）