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1. 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置

   出願日

   2022年8月31日

   登録番号

   7464088

   技術分野

   研削；研磨

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

2. 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置

   出願日

   2022年8月31日

   登録番号

   7464088

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

3. 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置

   出願日

   2022年8月31日

   登録番号

   7464088

   技術分野

   研削；研磨

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

4. 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置

   出願日

   2022年8月31日

   登録番号

   7464088

   技術分野

   研削；研磨

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

5. 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置

   出願日

   2022年8月31日

   登録番号

   7464088

   技術分野

   研削；研磨

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

6. 半導体ウェーハの両面研磨方法、研磨ウェーハの製造方法、及び半導体ウェーハの両面研磨装置

   出願日

   2022年8月31日

   登録番号

   7464088

   技術分野

   基本的電気素子

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

7. ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム

   出願日

   2022年7月4日

   登録番号

   7363978

   技術分野

   研削；研磨

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

8. ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム

   出願日

   2022年7月4日

   登録番号

   7363978

   技術分野

   研削；研磨

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

9. ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム

   出願日

   2022年7月4日

   登録番号

   7363978

   技術分野

   研削；研磨

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

10. ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム

    出願日

    2022年7月4日

    登録番号

    7363978

    技術分野

    研削；研磨

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

11. ウェーハ研磨条件の決定方法、ウェーハの製造方法およびウェーハ片面研磨システム

    出願日

    2022年7月4日

    登録番号

    7363978

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

12. 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法

    出願日

    2022年5月19日

    登録番号

    7327575

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

13. 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法

    出願日

    2022年5月19日

    登録番号

    7327575

    技術分野

    研削；研磨

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

14. 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法

    出願日

    2022年5月19日

    登録番号

    7327575

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

15. 半導体ウェーハの鏡面面取り加工時の研磨代の評価方法

    出願日

    2022年5月19日

    登録番号

    7327575

    技術分野

    研削；研磨

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

16. 測定方法及び測定装置

    出願日

    2022年4月21日

    登録番号

    7276553

    技術分野

    測定；試験

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

17. 測定方法及び測定装置

    出願日

    2022年4月21日

    登録番号

    7276553

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

18. シリコン単結晶の製造方法

    出願日

    2022年3月15日

    登録番号

    7359241

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

19. シリコン単結晶の製造方法

    出願日

    2022年3月15日

    登録番号

    7359241

    技術分野

    結晶成長

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

20. 半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置

    出願日

    2021年12月10日

    登録番号

    7211475

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

21. 半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置

    出願日

    2021年12月10日

    登録番号

    7211475

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

22. 半導体ウェーハ用エピタキシャル成長装置の基準位置検出状態の判定方法、半導体ウェーハの載置位置測定方法、及び、エピタキシャル成長装置

    出願日

    2021年12月10日

    登録番号

    7211475

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

23. 横型熱処理炉、熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法

    出願日

    2021年11月15日

    登録番号

    7238943

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

24. 横型熱処理炉、熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法

    出願日

    2021年11月15日

    登録番号

    7238943

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

25. 横型熱処理炉、熱処理方法及びシリコンウェーハの製造方法

    出願日

    2021年11月15日

    登録番号

    7238943

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

26. 半導体試料の評価方法、半導体試料の評価装置および半導体ウェーハの製造方法

    出願日

    2021年11月10日

    登録番号

    7249395

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

27. シリコンウェーハの枚葉式スピン洗浄乾燥方法

    出願日

    2021年10月29日

    登録番号

    7351331

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

28. シリコンウェーハの枚葉式スピン洗浄乾燥方法

    出願日

    2021年10月29日

    登録番号

    7351331

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

29. 機械学習の評価方法及び機械学習による推定モデルの生成方法

    出願日

    2021年10月7日

    登録番号

    7251590

    技術分野

    計算または計数

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

30. 枚葉式ウェーハ洗浄装置の配管の洗浄方法

    出願日

    2021年10月4日

    登録番号

    7355255

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）