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日本ルメンタム株式会社

特許 全371件

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全371件 （1〜30件目を表示）

  1. ヒータを集積したリッジ型半導体光素子

    出願日
    2020年7月21日
    登録番号
    7309667
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. ヒータを集積したリッジ型半導体光素子

    出願日
    2020年7月21日
    登録番号
    7309667
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 半導体光増幅器集積レーザ

    出願日
    2020年4月30日
    登録番号
    7458885
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 埋め込み型半導体光素子

    出願日
    2019年11月13日
    登録番号
    7457485
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 埋め込み型半導体光素子

    出願日
    2019年11月13日
    登録番号
    7457485
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 光半導体素子、光半導体装置

    出願日
    2019年11月5日
    登録番号
    7402014
    技術分野
    光学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 光半導体素子、光半導体装置

    出願日
    2019年11月5日
    登録番号
    7402014
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 光半導体素子、光半導体装置

    出願日
    2019年11月5日
    登録番号
    7402014
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 光半導体素子、光半導体装置

    出願日
    2019年11月5日
    登録番号
    7402014
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 変調ドープ半導体レーザ及びその製造方法

    出願日
    2019年10月16日
    登録番号
    7296845
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 変調ドープ半導体レーザ及びその製造方法

    出願日
    2019年10月16日
    登録番号
    7296845
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 変調ドープ半導体レーザ及びその製造方法

    出願日
    2019年10月16日
    登録番号
    7296845
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 変調ドープ半導体レーザ及びその製造方法

    出願日
    2019年10月16日
    登録番号
    7296845
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 電界吸収型光変調器及びその製造方法

    出願日
    2019年10月7日
    登録番号
    7301709
    技術分野
    光学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 電界吸収型光変調器及びその製造方法

    出願日
    2019年10月7日
    登録番号
    7301709
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 光サブアッセンブリ

    出願日
    2019年8月13日
    登録番号
    7330810
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 半導体光素子

    出願日
    2019年8月13日
    登録番号
    7309519
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 光サブアッセンブリ

    出願日
    2019年8月13日
    登録番号
    7330810
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 光サブアッセンブリ

    出願日
    2019年8月13日
    登録番号
    7330810
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 半導体光素子

    出願日
    2019年8月13日
    登録番号
    7309519
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 半導体光素子

    出願日
    2019年8月13日
    登録番号
    7309519
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. 半導体発光装置

    出願日
    2019年8月6日
    登録番号
    7339807
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. 埋め込み型半導体光素子及びその製造方法

    出願日
    2019年8月6日
    登録番号
    7294938
    技術分野
    光学
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. 埋め込み型半導体光素子及びその製造方法

    出願日
    2019年8月6日
    登録番号
    7294938
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. 埋め込み型半導体光素子及びその製造方法

    出願日
    2019年8月6日
    登録番号
    7294938
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. 光通信モジュール

    出願日
    2019年5月10日
    登録番号
    7397582
    技術分野
    電気通信技術
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. 光通信モジュール

    出願日
    2019年5月10日
    登録番号
    7397582
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. 光通信モジュール

    出願日
    2019年5月10日
    登録番号
    7397582
    技術分野
    電気通信技術
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. 半導体受光素子及び半導体受光素子の製造方法

    出願日
    2019年5月7日
    登録番号
    7361490
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. 光半導体素子、光サブアセンブリ、及び光モジュール

    出願日
    2019年4月12日
    登録番号
    7326006
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）