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株式会社フィルネックス

特許 全22件

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全22件 （1〜22件目を表示）

  1. 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体基板の製造装置

    出願日
    2023年2月13日
    登録番号
    7364301
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体基板の製造装置

    出願日
    2023年2月13日
    登録番号
    7364301
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体基板の製造装置

    出願日
    2023年2月13日
    登録番号
    7364301
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体基板の製造装置

    出願日
    2023年2月13日
    登録番号
    7364301
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 半導体基板の製造方法、半導体基板、及び半導体基板の製造装置

    出願日
    2023年2月13日
    登録番号
    7364301
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 半導体素子の製造方法及び半導体素子の製造システム

    出願日
    2020年4月24日
    登録番号
    6991399
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 半導体素子の製造方法及び半導体素子の製造システム

    出願日
    2020年4月24日
    登録番号
    6991399
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 半導体素子の製造方法及び半導体素子の製造システム

    出願日
    2020年4月24日
    登録番号
    6991399
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法

    出願日
    2019年10月17日
    登録番号
    6836022
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法

    出願日
    2019年10月17日
    登録番号
    7441525
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法

    出願日
    2019年10月17日
    登録番号
    6836022
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法

    出願日
    2019年10月17日
    登録番号
    7441525
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法

    出願日
    2019年10月17日
    登録番号
    7441525
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法

    出願日
    2019年10月17日
    登録番号
    7441525
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法

    出願日
    2019年10月17日
    登録番号
    6836022
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 半導体基板、半導体基板の製造方法及び半導体素子の製造方法

    出願日
    2019年10月17日
    登録番号
    6836022
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2019年8月19日
    登録番号
    6622445
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2019年8月19日
    登録番号
    6622445
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2019年8月19日
    登録番号
    6622445
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2018年2月28日
    登録番号
    7193840
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 半導体素子の製造方法

    出願日
    2018年2月28日
    登録番号
    6431631
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. 半導体素子の製造方法及び半導体基板

    出願日
    2018年2月28日
    登録番号
    7193840
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）