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株式会社ワコム研究所

特許 全9件

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全9件 （1〜9件目を表示）

  1. 半導体記憶素子、電気配線、光配線、強誘電体ゲートトランジスタ及び電子回路の製造方法並びにメモリセルアレイ及びその製造方法

    出願日
    2017年5月9日
    登録番号
    7248966
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 半導体記憶素子、電気配線、光配線、強誘電体ゲートトランジスタ及び電子回路の製造方法並びにメモリセルアレイ及びその製造方法

    出願日
    2017年5月9日
    登録番号
    7248966
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 半導体強誘電体記憶素子の製造方法及び半導体強誘電体記憶トランジスタ

    出願日
    2016年4月22日
    登録番号
    6751866
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 半導体強誘電体記憶素子の製造方法及び半導体強誘電体記憶トランジスタ

    出願日
    2016年4月22日
    登録番号
    6751866
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 半導体強誘電体記憶素子の製造方法及び半導体強誘電体記憶トランジスタ

    出願日
    2016年4月22日
    登録番号
    6751866
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 半導体強誘電体記憶素子の製造方法及び半導体強誘電体記憶トランジスタ

    出願日
    2016年4月22日
    登録番号
    6751866
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 強誘電体デバイス及びその製造方法

    出願日
    2014年7月24日
    登録番号
    6539900
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 強誘電体デバイス及びその製造方法

    出願日
    2014年7月24日
    登録番号
    6539900
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 強誘電体デバイス及びその製造方法

    出願日
    2014年7月24日
    登録番号
    6539900
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）