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メルテックス株式会社

特許 全19件

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全19件 （1〜19件目を表示）

  1. 無電解銅めっき液

    出願日
    2021年9月3日
    登録番号
    7111410
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. レジスト残渣除去液及びこれを用いる導体パターン付き基板材の形成方法

    出願日
    2021年7月9日
    登録番号
    7407479
    技術分野
    写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. レジスト残渣除去液及びこれを用いる導体パターン付き基板材の形成方法

    出願日
    2021年7月9日
    登録番号
    7407479
    技術分野
    写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. レジスト残渣除去液及びこれを用いる導体パターン付き基板材の形成方法

    出願日
    2021年7月9日
    登録番号
    7407479
    技術分野
    写真；映画；光波以外の波を使用する類似技術；電子写真；ホログラフイ
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. アルミニウムおよびアルミニウム合金のめっき前処理方法

    出願日
    2020年12月8日
    登録番号
    7416425
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液

    出願日
    2019年5月29日
    登録番号
    7236111
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. シリコン半導体基板のエッチング方法、半導体装置の製造方法およびエッチング液

    出願日
    2019年5月29日
    登録番号
    7236111
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 無電解Ｎｉ－Ｆｅ合金めっき液

    出願日
    2019年1月22日
    登録番号
    6960677
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 銅エッチング液

    出願日
    2018年7月9日
    登録番号
    6949306
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 銅エッチング液

    出願日
    2018年7月9日
    登録番号
    6949306
    技術分野
    他に分類されない電気技術
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 電解銅めっき用陽極、及びそれを用いた電解銅めっき装置

    出願日
    2017年7月31日
    登録番号
    6653799
    技術分野
    電気分解または電気泳動方法；そのための装置
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 電解銅めっき用陽極、及びそれを用いた電解銅めっき装置

    出願日
    2017年7月31日
    登録番号
    6653799
    技術分野
    電気分解または電気泳動方法；そのための装置
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 電解銅めっき用陽極、及びそれを用いた電解銅めっき装置

    出願日
    2017年7月31日
    登録番号
    6653799
    技術分野
    電気分解または電気泳動方法；そのための装置
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. 金属被膜及び金属被膜形成方法

    出願日
    2014年8月8日
    登録番号
    6485896
    技術分野
    電気分解または電気泳動方法；そのための装置
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 金属被膜及び金属被膜形成方法

    出願日
    2014年8月8日
    登録番号
    6485896
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 金属被膜及び金属被膜形成方法

    出願日
    2014年8月8日
    登録番号
    6485896
    技術分野
    電気分解または電気泳動方法；そのための装置
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 金属被膜及び金属被膜形成方法

    出願日
    2014年8月8日
    登録番号
    6485896
    技術分野
    電気分解または電気泳動方法；そのための装置
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 金属被膜及び金属被膜形成方法

    出願日
    2014年8月8日
    登録番号
    6485896
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 金属被膜及び金属被膜形成方法

    出願日
    2014年8月8日
    登録番号
    6485896
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）