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株式会社ＣＵＳＩＣ

特許 全53件

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全53件 （1〜30件目を表示）

  1. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. ＳｉＣ積層体およびその製造方法ならびに半導体装置

    出願日
    2020年5月15日
    登録番号
    6795805
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. 炭化珪素の製造方法

    出願日
    2019年5月20日
    登録番号
    6720436
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. 炭化珪素の製造方法

    出願日
    2019年5月20日
    登録番号
    6720436
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板

    出願日
    2018年3月1日
    登録番号
    6743963
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板

    出願日
    2018年3月1日
    登録番号
    6743963
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板

    出願日
    2018年3月1日
    登録番号
    6743963
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. 炭化珪素基板の製造方法及び炭化珪素基板

    出願日
    2018年3月1日
    登録番号
    6743963
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. 化合物半導体積層基板及びその製造方法、並びに半導体素子

    出願日
    2018年2月15日
    登録番号
    6721062
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法

    出願日
    2017年4月27日
    登録番号
    6867221
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法

    出願日
    2017年4月27日
    登録番号
    6867221
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法

    出願日
    2017年4月27日
    登録番号
    6867221
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法

    出願日
    2017年4月27日
    登録番号
    6867221
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  26. エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法

    出願日
    2017年4月27日
    登録番号
    6867221
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  27. エピタキシャル成長装置及びエピタキシャル成長方法

    出願日
    2017年4月27日
    登録番号
    6867221
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  28. ＳｉＣ複合基板の製造方法

    出願日
    2015年9月15日
    登録番号
    6582779
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  29. ＳｉＣ複合基板の製造方法

    出願日
    2015年9月15日
    登録番号
    6515757
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  30. ＳｉＣ複合基板の製造方法

    出願日
    2015年9月15日
    登録番号
    6515757
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）