プルミアム
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株式会社ハイシック

特許 全4件

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全4件 （1〜4件目を表示）

  1. 化合物半導体ウエハの加工方法

    出願日
    2017年11月7日
    登録番号
    6570045
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. 化合物半導体ウエハの加工方法

    出願日
    2017年11月7日
    登録番号
    6570045
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 化合物半導体ウエハの加工方法

    出願日
    2017年11月7日
    登録番号
    6570045
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 化合物半導体ウエハの加工方法

    出願日
    2017年11月7日
    登録番号
    6570045
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）