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1. イットリウム系薄膜の密着性を改善する方法

   出願日

   2022年6月3日

   登録番号

   7214935

   技術分野

   金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

2. 樹脂組成物、ペレット、成形品、および、樹脂組成物の製造方法

   出願日

   2021年12月8日

   登録番号

   7212816

   技術分野

   有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

3. 樹脂組成物、ペレット、成形品、および、樹脂組成物の製造方法

   出願日

   2021年12月8日

   登録番号

   7212816

   技術分野

   有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

4. 樹脂組成物、ペレット、成形品、および、樹脂組成物の製造方法

   出願日

   2021年12月8日

   登録番号

   7212816

   技術分野

   有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

5. 樹脂組成物、ペレット、成形品、および、樹脂組成物の製造方法

   出願日

   2021年12月8日

   登録番号

   7212816

   技術分野

   有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

6. 樹脂組成物、ペレット、成形品、および、樹脂組成物の製造方法

   出願日

   2021年12月8日

   登録番号

   7212816

   技術分野

   有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

7. 樹脂組成物、ペレット、成形品、および、樹脂組成物の製造方法

   出願日

   2021年12月8日

   登録番号

   7212816

   技術分野

   有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

8. 組成物、ペレット、成形品および組成物の製造方法

   出願日

   2021年5月6日

   登録番号

   7051021

   技術分野

   有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

9. 組成物、ペレット、成形品および組成物の製造方法

   出願日

   2021年5月6日

   登録番号

   7051021

   技術分野

   有機高分子化合物；その製造または化学的加工；それに基づく組成物

   取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

10. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材、微小部材および半導体電子回路、バンプの製造方法ならびに半導体電子回路の実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091406

    技術分野

    冶金；鉄または非鉄合金；合金の処理または非鉄金属の処理

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

11. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材および、その製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091405

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

12. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材および、その製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091405

    技術分野

    工作機械；他に分類されない金属加工

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

13. 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7080939

    技術分野

    工作機械；他に分類されない金属加工

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

14. 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7080939

    技術分野

    冶金；鉄または非鉄合金；合金の処理または非鉄金属の処理

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

15. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材および、その製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091405

    技術分野

    冶金；鉄または非鉄合金；合金の処理または非鉄金属の処理

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

16. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材および、その製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091405

    技術分野

    工作機械；他に分類されない金属加工

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

17. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材、微小部材および半導体電子回路、バンプの製造方法ならびに半導体電子回路の実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091406

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

18. 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7080939

    技術分野

    他に分類されない電気技術

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

19. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材、微小部材および半導体電子回路、バンプの製造方法ならびに半導体電子回路の実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091406

    技術分野

    冶金；鉄または非鉄合金；合金の処理または非鉄金属の処理

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

20. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材、微小部材および半導体電子回路、バンプの製造方法ならびに半導体電子回路の実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091406

    技術分野

    工作機械；他に分類されない金属加工

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

21. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材、微小部材および半導体電子回路、バンプの製造方法ならびに半導体電子回路の実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091406

    技術分野

    工作機械；他に分類されない金属加工

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

22. 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7080939

    技術分野

    冶金；鉄または非鉄合金；合金の処理または非鉄金属の処理

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

23. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材および、その製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091405

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

24. 低融点接合部材およびその製造方法ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7080939

    技術分野

    工作機械；他に分類されない金属加工

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

25. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材および、その製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091405

    技術分野

    冶金；鉄または非鉄合金；合金の処理または非鉄金属の処理

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

26. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材、微小部材および半導体電子回路、バンプの製造方法ならびに半導体電子回路の実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091406

    技術分野

    工作機械；他に分類されない金属加工

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

27. Ｓｎ－Ｂｉ－Ｉｎ系低融点接合部材および、その製造方法、ならびに半導体電子回路およびその実装方法

    出願日

    2020年9月4日

    登録番号

    7091405

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

28. ガス孔をもつ半導体製造装置部品の洗浄方法

    出願日

    2020年8月26日

    登録番号

    6859496

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

29. ガス孔をもつ半導体製造装置部品の洗浄方法

    出願日

    2020年8月26日

    登録番号

    6859496

    技術分野

    基本的電気素子

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

30. ガス孔をもつ半導体製造装置部品の洗浄方法

    出願日

    2020年8月26日

    登録番号

    6859496

    技術分野

    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）