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伊藤忠プラスチックス株式会社

特許 全25件

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全25件 （1〜25件目を表示）

  1. ヒートシール積層体及び包装体

    出願日
    2022年4月12日
    登録番号
    7274641
    技術分野
    積層体
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. ヒートシール積層体及び包装体

    出願日
    2022年4月12日
    登録番号
    7274641
    技術分野
    運搬；包装；貯蔵；薄板状または線条材料の取扱い
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 物品搬送用トレイおよびその製造方法

    出願日
    2020年10月8日
    登録番号
    7059334
    技術分野
    運搬；包装；貯蔵；薄板状または線条材料の取扱い
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 商品サンプル成型用金型の製造方法、商品サンプルの製造方法、及び商品サンプル

    出願日
    2018年1月26日
    登録番号
    6970762
    技術分野
    プラスチックの加工；可塑状態の物質の加工一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 商品サンプル成型用金型の製造方法、商品サンプルの製造方法、及び商品サンプル

    出願日
    2018年1月26日
    登録番号
    6970762
    技術分野
    プラスチックの加工；可塑状態の物質の加工一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 粘着性面ファスナおよび粘着性面ファスナ付き手袋

    出願日
    2017年7月24日
    登録番号
    7121897
    技術分野
    スポーツ；ゲーム；娯楽
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 粘着性面ファスナおよび粘着性面ファスナ付き手袋

    出願日
    2017年7月24日
    登録番号
    7121897
    技術分野
    衣類
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 粘着性面ファスナおよび粘着性面ファスナ付き手袋

    出願日
    2017年7月24日
    登録番号
    7121897
    技術分野
    小間物；貴金属宝石類
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 電子レンジ加熱容器の蓋体

    出願日
    2017年6月23日
    登録番号
    6830631
    技術分野
    家具；家庭用品または家庭用設備；コーヒーひき；香辛料ひき；真空掃除機一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 電子レンジ加熱容器の蓋体

    出願日
    2017年6月23日
    登録番号
    6830631
    技術分野
    運搬；包装；貯蔵；薄板状または線条材料の取扱い
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 電子レンジ加熱容器の蓋体

    出願日
    2017年6月23日
    登録番号
    6830631
    技術分野
    加熱；レンジ；換気
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置

    出願日
    2015年10月28日
    登録番号
    6596692
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置

    出願日
    2015年10月28日
    登録番号
    6596692
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  14. ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置

    出願日
    2015年10月28日
    登録番号
    6596692
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  15. ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置

    出願日
    2015年10月28日
    登録番号
    6596692
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  16. ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置

    出願日
    2015年10月28日
    登録番号
    6596692
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  17. ＩＩＩ族元素窒化物結晶製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、半導体装置の製造方法およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置

    出願日
    2015年10月28日
    登録番号
    6596692
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  18. ＩＩＩ族元素窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族元素窒化物結晶、半導体装置、およびＩＩＩ族元素窒化物結晶製造装置

    出願日
    2014年10月8日
    登録番号
    6614529
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  19. ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物結晶製造装置

    出願日
    2014年3月3日
    登録番号
    6384851
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  20. ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物結晶製造装置

    出願日
    2014年3月3日
    登録番号
    6384851
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  21. ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物結晶製造装置

    出願日
    2014年3月3日
    登録番号
    6384851
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  22. ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物結晶製造装置

    出願日
    2014年3月3日
    登録番号
    6384851
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  23. ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物結晶製造装置

    出願日
    2014年3月3日
    登録番号
    6384851
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  24. ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物結晶製造装置

    出願日
    2014年3月3日
    登録番号
    6384851
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  25. ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法、ＩＩＩ族窒化物結晶、半導体装置およびＩＩＩ族窒化物結晶製造装置

    出願日
    2014年3月3日
    登録番号
    6384851
    技術分野
    結晶成長
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）