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株式会社エー・シー・イー

特許全15件

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全15件（1〜15件目を表示）

気相成長装置及び気相成長システム

出願日
2017年12月28日

登録番号
6763577

技術分野
金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
気相成長装置及び気相成長システム

出願日
2017年12月28日

登録番号
6763577

技術分野
結晶成長

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
気相成長装置及び気相成長システム

出願日
2017年12月28日

登録番号
6763577

技術分野
結晶成長

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
気体供給装置

出願日
2017年12月28日

登録番号
6955260

技術分野
金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
気相成長装置及び気相成長システム

出願日
2017年12月28日

登録番号
6763577

技術分野
結晶成長

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
気相成長装置及び気相成長システム

出願日
2017年12月28日

登録番号
6763577

技術分野
基本的電気素子

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
気体供給装置

出願日
2017年12月28日

登録番号
6955260

技術分野
基本的電気素子

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
気体供給装置

出願日
2017年12月28日

登録番号
6955260

技術分野
基本的電気素子

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
気相成長装置及び気相成長システム

出願日
2017年12月28日

登録番号
6763577

技術分野
金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
シリコンウェーハのウェットエッチング方法

出願日
2015年5月11日

登録番号
6455980

技術分野
基本的電気素子

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
シリコンウェーハのウェットエッチング方法

出願日
2015年5月11日

登録番号
6455980

技術分野
基本的電気素子

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
比例ソレノイドバルブの制御方法

出願日
2014年3月19日

登録番号
6268012

技術分野
機械要素または単位；機械または装置の効果的機能を生じ維持するための一般的手段

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
比例ソレノイドバルブの制御方法

出願日
2014年3月19日

登録番号
6268012

技術分野
機械要素または単位；機械または装置の効果的機能を生じ維持するための一般的手段

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
比例ソレノイドバルブの制御方法

出願日
2014年3月19日

登録番号
6268012

技術分野
機械要素または単位；機械または装置の効果的機能を生じ維持するための一般的手段

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）
比例ソレノイドバルブの制御方法

出願日
2014年3月19日

登録番号
6268012

技術分野
制御；調整

取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）