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株式会社天谷製作所

特許 全13件

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全13件 （1〜13件目を表示）

  1. 半導体製造装置及び方法

    出願日
    2023年6月2日
    登録番号
    7412824
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  2. リフトピン、半導体製造装置およびリフトピン製造方法

    出願日
    2021年2月1日
    登録番号
    7333675
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  3. 成膜用冶具及び気相成長装置

    出願日
    2020年9月14日
    登録番号
    7063493
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  4. 成膜用冶具及び気相成長装置

    出願日
    2020年9月14日
    登録番号
    7063493
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  5. 成膜用冶具及び気相成長装置

    出願日
    2020年9月14日
    登録番号
    7063493
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  6. 成膜用冶具及び気相成長装置

    出願日
    2020年9月14日
    登録番号
    7063493
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  7. 成膜用冶具及び常圧気相成長装置

    出願日
    2018年12月10日
    登録番号
    7387129
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  8. 成膜用冶具及び常圧気相成長装置

    出願日
    2018年12月10日
    登録番号
    7387129
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  9. 成膜用冶具及び常圧気相成長装置

    出願日
    2018年12月10日
    登録番号
    7387129
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  10. 成膜用冶具及び常圧気相成長装置

    出願日
    2018年12月10日
    登録番号
    7387129
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  11. 処理装置

    出願日
    2017年4月7日
    登録番号
    6434558
    技術分野
    金属質材料への被覆；金属質材料による材料への被覆；化学的表面処理；金属質材料の拡散処理；真空蒸着，スパッタリング，イオン注入法，または化学蒸着による被覆一般；金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  12. 処理装置

    出願日
    2017年4月7日
    登録番号
    6434558
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）

  13. 処理装置

    出願日
    2017年4月7日
    登録番号
    6434558
    技術分野
    基本的電気素子
    取得元：Gビズインフォ（特許庁データ）